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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利MEMS电容器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116055969B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111265224.1，技术领域涉及：H04R19/04；该发明授权MEMS电容器件及其制作方法是由冷华星;冯栋设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS电容器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供的MEMS电容器件及其制作方法中，基底的上表面依次形成有第一隔离层、第一极板层、第二隔离层和第二极板层，基底中具有第一通孔，第一隔离层中具有位于第一通孔正上方且径向尺寸大于第一通孔的第二通孔，第二通孔暴露出第一通孔的侧壁与基底的上表面连接形成的尖角，第一极板层悬空设置在第二通孔上，第二隔离层暴露出第一极板层的中间区域以在第二极板层和第一极板层之间形成空腔，该空腔内设置有至少一个连接第一极板层和第二极板层的连柱，连柱与尖角的横向距离在设定范围内。如此，第一极板层在向下振动时，连柱向第一极板层的提供向上的拉力，可以在不影响MEMS电容器件性能的前提下减小第一极板层触碰到上述尖角的概率。

本发明授权MEMS电容器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS电容器件，其特征在于，包括： 基底，所述基底具有第一通孔； 第一隔离层，设置在所述基底的上表面，所述第一隔离层中具有位于所述第一通孔正上方且径向尺寸大于所述第一通孔的第二通孔，所述第二通孔暴露出所述基底的与所述第一通孔的侧壁连接的上表面，所述第一通孔的侧壁与被所述第二通孔暴露的所述基底的上表面形成尖角； 第一极板层，悬空设置在所述第二通孔上，且边缘搭在所述第一隔离层上； 第二隔离层，设置在所述第一极板层上，所述第二隔离层暴露出所述第一极板层的中间区域，所述第二隔离层和被暴露的所述第一极板层的中间区域分别作为一空腔的侧壁和底壁，所述空腔位于所述第二通孔的正上方； 第二极板层，悬空设置在所述空腔上，且边缘搭在所述第二隔离层上； 其中，所述空腔内设置有至少一个连柱，所述连柱的两端分别连接所述第二极板层和所述第一极板层，所述连柱的侧壁和所述空腔的侧壁之间具有间隙，且所述连柱与所述尖角的横向距离在设定范围内。

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