美光科技公司金炳鈗获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利具有用于半导体装置的多个多方向导电线及阶梯式导电线接触结构的导电线接触区获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116057631B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180062817.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权具有用于半导体装置的多个多方向导电线及阶梯式导电线接触结构的导电线接触区是由金炳鈗;杨胜伟;李时雨;M·扎列斯基设计研发完成，并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有用于半导体装置的多个多方向导电线及阶梯式导电线接触结构的导电线接触区在说明书摘要公布了：系统、方法及设备包含具有用于半导体装置的多个多方向导电线及阶梯式导电线接触结构的导电线接触区。一个存储器装置包括竖直堆叠的存储器单元阵列，其具有竖直堆叠的存储器单元的多个多方向导电线阵列，包含从层的群组的重复迭代形成的层的竖直堆叠，层的所述群组包括：第一介电材料层、半导体材料层及第二介电材料层，所述第二介电材料层具有在其中形成于水平面中的导电线，并且层的所述竖直堆叠具有在互连区中的多个多方向导电线，所述互连区具有形成于阵列区中的所述互连区的第一部分及形成于与所述阵列区间隔开的导电线接触区中的第二部分。
本发明授权具有用于半导体装置的多个多方向导电线及阶梯式导电线接触结构的导电线接触区在权利要求书中公布了：1.一种具有竖直堆叠的存储器单元阵列的存储器装置，所述竖直堆叠的存储器单元阵列具有多个多方向导电线，所述存储器装置包括： 由层的群组的重复迭代形成的层的竖直堆叠， 层的所述群组包括：第一介电材料层、半导体材料层及第二介电材料层，所述第二介电材料层具有在其中形成于水平面中的所述多个多方向导电线的水平定向的导电线；及 层的所述竖直堆叠具有在互连区中的多个多方向导电线，所述互连区具有形成于阵列区中的所述互连区的第一部分及形成于与所述阵列区间隔开的导电线接触区中的第二部分。
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