顶诺微电子(北京)有限公司夏令获国家专利权
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龙图腾网获悉顶诺微电子(北京)有限公司申请的专利一种功率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093140B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111311228.9，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权一种功率晶体管是由夏令设计研发完成，并于2021-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率晶体管在说明书摘要公布了：本申请涉及一种功率晶体管，包括绝缘衬底；位于所述绝缘衬底上方的带有开口的绝缘介质层；从所述介质层开口区域外延生长形成的第一半导体层；位于所述第一半导体层以上的沟道缓冲层；位于所述沟道缓冲层以上的势垒层；位于所述势垒层上方的栅极、源极、和漏极；其中位于所述源极下方的所述第一半导体层的部分区域经掺杂形成导电场板，所述场板与所述源极通过电连接结构耦合，并且所述场板的侧边沿位于与其同侧相邻的栅极侧边沿和与其同侧相邻的漏极侧边沿之间。本申请还提供了相关的电子设备以及制备该功率晶体管的方法。
本发明授权一种功率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种功率晶体管，包括 绝缘衬底； 位于所述绝缘衬底上方的带有开口的绝缘介质层； 从所述介质层开口区域外延生长形成的第一半导体层； 位于所述第一半导体层以上的沟道缓冲层； 位于所述沟道缓冲层以上的势垒层；以及 位于所述势垒层上方的栅极、源极、和漏极； 其中位于所述源极下方的所述第一半导体层的部分区域经掺杂形成导电场板，所述场板与所述源极通过电连接结构耦合，并且所述场板的侧边沿位于与其同侧相邻的栅极侧边沿和与其同侧相邻的漏极侧边沿之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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