苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利增强型半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116134590B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103838.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权增强型半导体结构及其制作方法是由程凯设计研发完成，并于2020-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本增强型半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：自下而上分布的半导体衬底、异质结结构、帽层、第一钝化层以及第二钝化层；贯穿第一钝化层与第二钝化层的凹槽；以及至少位于凹槽的内壁的P型半导体层。在干法刻蚀第二钝化层形成凹槽后，第一钝化层可用于刻蚀终点检测，避免过刻蚀。在第二钝化层凹槽处暴露出的第一钝化层，可通过湿法刻蚀去除。湿法刻蚀去除第一钝化层时，帽层具有极高的稳定性，所以湿法腐蚀去除第一钝化层后，不会损伤帽层。无损伤的帽层能有效降低异质结结构的表面缺陷，以降低电子被缺陷捕获的几率，实现减弱电流崩塌效应以及降低动态导通电阻。
本发明授权增强型半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 在半导体衬底10上依次形成异质结结构11、帽层12、第一钝化层13以及第二钝化层14； 形成贯穿所述第一钝化层13与所述第二钝化层14的凹槽15；所述第二钝化层14采用干法刻蚀法去除，所述第一钝化层13用于所述干法刻蚀时的刻蚀终止层；所述第一钝化层13采用湿法刻蚀法去除，所述帽层12用于所述湿法刻蚀时保护所述异质结结构11； 至少在所述凹槽15的内壁形成贯穿所述第一钝化层13与所述第二钝化层14的P型半导体层17，其中，所述P型半导体层17的厚度小于所述第一钝化层13的厚度；以及 在所述P型半导体层17上形成N型离子重掺杂层18，其中，所述N型离子重掺杂层18贯穿所述第二钝化层14和部分所述第一钝化层13。
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