上海鼎泰匠芯科技有限公司吴健获国家专利权
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龙图腾网获悉上海鼎泰匠芯科技有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169139B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310097643.1，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权半导体结构及其制备方法是由吴健设计研发完成，并于2023-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：基底；第一阱区，位于基底内；第一体区，位于第一阱区内；第二体区，位于基底内，与第一体区间隔设置，且至少部分位于第一阱区内；第二阱区，位于第一阱区内，且位于第一体区与第二体区之间，与第一体区间隔设置；多个欧姆接触区，位于基底内，在第一方向上，至少部分欧姆接触区位于第一体区、第二体区、第一阱区和第二阱区内；其中，第二阱区与位于第二阱区内的欧姆接触区作为结型场效应晶体管的漏极区和NPN的集电极区。实现了NPN区域与结型场效应晶体管区域相互重叠，NPN和结型场效应晶体管共用部分结构以缩小整体半导体结构的面积。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 第一阱区，位于所述基底内； 第一体区，位于所述第一阱区内； 第二体区，位于所述基底内，与所述第一体区间隔设置，且至少部分位于所述第一阱区内； 第二阱区，位于所述第一阱区内，且位于所述第一体区与所述第二体区之间，与所述第一体区间隔设置； 多个欧姆接触区，位于所述基底内，在第一方向上，至少部分所述欧姆接触区位于所述第一体区、所述第二体区、所述第一阱区和所述第二阱区内；所述欧姆接触区包括多个第一导电类型的欧姆接触区和多个第二导电类型的欧姆接触区，所述第一导电类型的欧姆接触区和所述第二导电类型的欧姆接触区交替间隔设置； 其中，所述第二阱区与位于所述第二阱区内的所述欧姆接触区作为结型场效应晶体管的漏极区和NPN型三极管的集电极区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海鼎泰匠芯科技有限公司，其通讯地址为：200135 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄13号5层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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