中国科学院微电子研究所张洪泽获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种基于复合氧化铝中间层的晶圆键合器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116206956B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310217553.1，技术领域涉及：H01L21/18；该发明授权一种基于复合氧化铝中间层的晶圆键合器件和方法是由张洪泽;王鑫华;刘新宇设计研发完成，并于2023-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于复合氧化铝中间层的晶圆键合器件和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于复合氧化铝中间层的晶圆键合器件和方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中通过水前驱体辅助生长氧化铝键合晶圆中界面气泡多的问题。所述器件包括第一晶圆、第二晶圆，以及位于所述第一晶圆和第二晶圆之间且从所述第一晶圆至所述第二晶圆依次叠加排列的前驱体臭氧辅助生长氧化铝层、前驱体水辅助生长氧化铝层、前驱体水辅助生长氧化铝层和前驱体臭氧辅助生长氧化铝层，两个所述前驱体水辅助生长氧化铝层之间键合连接。该器件可以有效抑制界面处H2O气泡的产生。
本发明授权一种基于复合氧化铝中间层的晶圆键合器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种基于复合氧化铝中间层的晶圆键合器件，其特征在于，所述器件包括第一晶圆、第二晶圆，以及位于所述第一晶圆和第二晶圆之间且从所述第一晶圆至所述第二晶圆依次叠加排列的前驱体臭氧辅助生长氧化铝层、前驱体水辅助生长氧化铝层、前驱体水辅助生长氧化铝层和前驱体臭氧辅助生长氧化铝层，两个所述前驱体水辅助生长氧化铝层之间键合连接。
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