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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种MEMS差热分析传感器及DTA/DSC测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116297647B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211574791.X，技术领域涉及：G01N25/20；该发明授权一种MEMS差热分析传感器及DTA/DSC测试方法是由贾浩;李昕欣;许鹏程;张昊智设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS差热分析传感器及DTA/DSC测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS差热分析传感器及DTADSC测试方法，该传感器包括检测热电堆、参考热电堆、环境电阻、屏蔽环，检测热电堆及参考热电堆均包括单晶硅衬底、隔热空腔、多个单晶硅热偶对及支撑膜，其中，隔热空腔位于单晶硅衬底内，多个单晶硅热偶对串联连接且通过支撑膜支撑以悬设于隔热空腔之上实现热隔离，单晶硅热偶对包括串联的N型单晶硅热偶及P型单晶硅热偶，该传感器的温度及功率灵敏度显著提升，达到28mVK和100VW，并且噪声等效温差和噪声等效功率达到0.5mK或0.2μW。基于该传感器的输出信号能够实现对材料吸放热的物理或化学过程进行差热分析测试和差式扫描量热分析测试，样品用量少、测试精度高。

本发明授权一种MEMS差热分析传感器及DTA/DSC测试方法在权利要求书中公布了：1.一种DTADSC测试方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供MEMS差示热分析传感器，所述MEMS差示热分析传感器包括邻接的参考热电堆及检测热电堆，所述参考热电堆及所述检测热电堆均包括以下结构， 单晶硅衬底； 隔热空腔，位于所述单晶硅衬底内； 多个单晶硅热偶对，串联且悬设于所述隔热空腔之上，所述单晶硅热偶对包括N型单晶硅热偶及P型单晶硅热偶，串联后的多个所述单晶硅热偶对的一端作为热端，串联后的多个所述单晶硅热偶对的另一端作为冷端； 支撑膜，位于所述单晶硅热偶对的上方以支撑所述单晶硅热偶对，所述热端位于所述支撑膜的中心区域，所述冷端位于所述支撑膜的边缘区域； 将待测样品置于所述检测热电堆的中间，所述待测样品覆盖所述检测热电堆的加热器； 通过加热器使所述参考热电堆的热端及所述检测热电堆的热端同时升温，所述检测热电堆上的待测样品随之升温，升温过程至所述待测样品完成吸放热过程时停止； 基于升温过程中所述传感器的输出信号获得所述待测样品吸放热过程发生时的特征温度； 由于所述待测样品吸放热使得所述检测热电堆的温度发生变化，通过所述检测热电堆的加热器额外补偿加热功率使所述检测热电堆升温至所述检测热电堆的温度与所述参考热电堆的温度始终保持相同； 基于升温过程中，所述传感器额外补偿功率的输出信号，即可获得所述待测样品发生吸放热时的特征温度以及吸放热热量值。

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