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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利透射电子显微镜样品的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116338248B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310341087.8，技术领域涉及：G01Q30/20；该发明授权透射电子显微镜样品的制备方法是由李丽媛;高金德设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本透射电子显微镜样品的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种透射电子显微镜样品的制备方法，先在目标层上形成至少两层层叠的离子束保护层，每层离子束保护层包括材质不同的第一保护层和第二保护层，然后，采用聚焦离子束对至少一层离子束保护层进行刻蚀，并根据刻蚀后的离子束保护层表面的刻蚀图像判断聚焦离子束的刻蚀角度是否为预设刻蚀角度。由于，第一保护层与第二保护层的图像的衬度也不同，由此可以根据刻蚀图像的衬度判断出聚焦离子束的刻蚀角度是否为预设刻蚀角度，在刻蚀角度不符合预设刻蚀角度时，能够及时的根据判断结果来调整聚焦离子束的刻蚀角度，防止观测目标单元被损伤或变形，保证透射电子显微镜样品的信息完整性，提高透射电子显微镜样品制样的成功率。

本发明授权透射电子显微镜样品的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，包括： 提供芯片样品，所述芯片样品包括暴露的目标层，所述目标层内具有观测目标单元； 在所述目标层上形成至少两层层叠的离子束保护层，每层所述离子束保护层包括自下而上层叠的第一保护层和第二保护层，所述第二保护层与所述第一保护层的材质不同，所述第一保护层的材质为碳，所述第二保护层的材质为铂，且所述第一保护层的表面的电子束扫描图像与第二保护层的表面的电子束扫描图像具有不同的衬度； 采用聚焦离子束对至少一层所述离子束保护层进行刻蚀； 通过电子束扫描所述离子束保护层获取刻蚀后的所述离子束保护层表面的刻蚀图像，并根据所述刻蚀图像的衬度判断所述聚焦离子束的刻蚀角度是否等于预设刻蚀角度，若否，则调整所述聚焦离子束的刻蚀角度，直至所述聚焦离子束的刻蚀角度等于所述预设刻蚀角度，其中，所述刻蚀图像包括所述第一保护层的图像和或所述第二保护层的图像；以及， 采用所述聚焦离子束对所述芯片样品远离所述离子束保护层的表面进行减薄，以形成透射电子显微镜样品，所述透射电子显微镜样品包括所述观测目标单元。

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