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龙图腾网获悉天芯互联科技有限公司申请的专利光子探测器的封装方法和光子探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344459B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310143429.5，技术领域涉及：H01L23/16；该发明授权光子探测器的封装方法和光子探测器是由肖浩洋;宋关强;熊艳春;李俞虹;杨日贵;余功炽设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本光子探测器的封装方法和光子探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光子探测器的封装方法和光子探测器，光子探测器的封装方法，包括：提供基板和芯片，其中，在基板的一侧设置有第一导电层，以及在基板的另一侧设置有第二导电层；对第一导电层进行蚀刻处理，以在第一导电层上形成第一导电线路；将芯片安装于第一导电层上，以使得芯片与第一导电线路进行电气连接；在芯片的外表面上依次层压第一介质层和第三导电层；对第二导电层和第三导电层进行蚀刻处理和电镀处理，以在第二导电层上形成第二导电线路以及在第三导电层上形成第三导电线路；在第三导电层上安装光电转换晶体，以使得光电转换晶体与第三导电线路进行电气连接。采用该封装方法可以简化工艺流程，提高光子探测器的集成度。

本发明授权光子探测器的封装方法和光子探测器在权利要求书中公布了：1.一种光子探测器的封装方法，其特征在于，包括： 提供基板和芯片，其中，在基板的一侧设置有第一导电层，以及在基板的另一侧设置有第二导电层； 对所述第一导电层进行蚀刻处理，以在所述第一导电层上形成第一导电线路； 将所述芯片安装于所述第一导电层上，以使得所述芯片与所述第一导电线路进行电气连接； 在所述芯片的外表面上依次层压第一介质层和第三导电层； 对所述第二导电层和所述第三导电层进行蚀刻处理和电镀处理，以在所述第二导电层上形成第二导电线路以及在所述第三导电层上形成第三导电线路； 在所述第三导电层上安装光电转换晶体，以使得所述光电转换晶体与所述第三导电线路进行电气连接； 其中，对所述第二导电层和所述第三导电层进行蚀刻处理和电镀处理，以在所述第二导电层上形成第二导电线路以及在所述第三导电层上形成第三导电线路，包括： 对所述第二导电层进行打孔，以露出所述第一导电线路； 对所述第三导电层进行打孔并蚀穿所述第一介质层，以露出所述芯片的焊盘； 对整板进行电镀处理，并对电镀处理后的第二导电层进行蚀刻，以形成第二导电线路，以及对电镀处理后的第三导电层进行蚀刻，以形成第三导电线路； 其中，所述第二导电线路与所述第一导电线路电连接，且所述第三导电线路与所述芯片的所述焊盘电连接。

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