昆明物理研究所张玉平获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明物理研究所申请的专利垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116435384B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310499466.X，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法是由张玉平;唐利斌;邓功荣;吴刚;袁绶章;王博;宋立媛;赵鹏;王静宇;岳彪;王海澎;刘燕;辛永刚;王琼芳;苏润洪;魏虹;姬玉龙;黄俊博;李红福;李轶民;敖雨;彭秋思;吴强设计研发完成，并于2023-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：垂直型ITO黑硅光电探测器及其制备方法，涉及光电器件成像技术领域，尤其是一种高性能垂直型ITO黑硅可见‑近红外光电探测器的制备技术。该光电探测器基于n型硅衬底，正面为高掺杂浓度的p型层。器件背面的n型层为过饱和掺杂的黑硅层，并在黑硅表面覆盖透明电极ITO，来改善黑硅微结构的表面特性，抑制表面复合，增强载流子的分离，以提升光电探测器的光电响应性能。本发明的器件结构为垂直型，具有高的集成度。通过利用ITO作为黑硅微结构表面的电极，可以很好的抑制表面复合，增强光生载流子的分离，使器件具有高的光电响应性能，在发展低成本的硅基红外探测器方面，具有重要的应用前景。
本发明授权垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.垂直型ITO黑硅光电探测器，其特征在于探测器从下至上分别为ITO电极层、微结构黑硅层、n型硅衬底层、p型层、Al金属层； 所述的p型层为硅衬底的一面注入B元素或As元素形成的重掺杂的p型层； 所述的微结构黑硅层通过飞秒激光或反应离子刻蚀法在n型硅衬底层另一面过饱和掺杂黑硅形成。
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