福建省金龙稀土股份有限公司汤志辉获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省金龙稀土股份有限公司申请的专利钕铁硼磁体及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118748112B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410921512.5，技术领域涉及：H01F1/057；该发明授权钕铁硼磁体及其制备方法和应用是由汤志辉;李可;许德钦;付刚;谢志兴;黄佳莹;黎国妃;李志刚设计研发完成，并于2024-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本钕铁硼磁体及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。钕铁硼磁体包括非易退磁区、过渡区和易退磁区。钕铁硼磁体的制备方法包括下述步骤：在钕铁硼基材上，分别在垂直于Z轴方向的上表面和或下表面施加扩散源，进行平行于取向方向的晶界扩散；其中，在上表面和下表面全部区域上施加扩散源Dy，在沿Z轴方向的外缘环形区域施加扩散源Tb，形成易退磁区、过渡区和非易退磁区。本发明的钕铁硼磁体能够在保证剩磁的前提下，降低钕铁硼磁体表磁和磁通的衰减，抗退磁性能良好。
本发明授权钕铁硼磁体及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种钕铁硼磁体，其特征在于，建立三维直角坐标系，以取向方向为Z轴方向，所述三维直角坐标系的原点位于所述钕铁硼磁体内； 所述钕铁硼磁体包括非易退磁区、过渡区和易退磁区；所述易退磁区为位于所述钕铁硼磁体上沿Z轴方向的外缘环形区域，所述非易退磁区为位于所述钕铁硼磁体上沿Z轴方向的中心区域；所述过渡区为位于所述易退磁区和所述非易退磁区之间的交界区域； 所述非易退磁区、所述过渡区和所述易退磁区的Tb的含量比为0-0.05:0.95-1:1； 所述非易退磁区、所述过渡区和所述易退磁区的Dy的含量比为1:1:1； 所述易退磁区的Tb的扩散增量与非易退磁区的Tb的扩散增量之比为1-36:1； 所述易退磁区的Tb的扩散增量与过渡区的Tb的扩散增量之比为1-1.1:1； 所述易退磁区的Tb的扩散增量为0.1wt%-0.55wt%； 所述易退磁区的Dy的扩散增量为0.1wt%-0.55wt%； 垂直于取向方向的任一平面上，所述非易退磁区的形状为椭圆形； 所述钕铁硼磁体为长方体。
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