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龙图腾网获悉江西求是高等研究院申请的专利一种微显示芯片制备方法及微显示芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118899371B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410843886.X，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种微显示芯片制备方法及微显示芯片是由喻文辉;彭康伟;封波设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微显示芯片制备方法及微显示芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种微显示芯片制备方法及微显示芯片，制备方法包括：提供一生长衬底和CMOS驱动晶圆，在生长衬底上生长发光结构，通过键合层将发光结构和CMOS驱动晶圆连接，去除生长衬底和部分发光结构，在去除部分发光结构的外延层表面进行多次刻蚀，形成若干相互独立的微显示单元，外延层表面沉积完全覆盖微显示单元的绝缘介质层，将微显示单元之间的绝缘介质层进行刻蚀后得到沟槽，在沟槽内沉积导电材料形成导电沟槽，在相邻的导电沟槽之间沉积导电金属，形成金属电极，得到目标微显示芯片，金属电极的轴线方向与导电沟槽的轴线方向垂直。本申请制备的微显示芯片减少了电极对芯片出光的遮挡，提高了芯片的发光效率。

本发明授权一种微显示芯片制备方法及微显示芯片在权利要求书中公布了：1.一种微显示芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，提供一生长衬底，在所述生长衬底上生长发光结构，在所述发光结构表面依次沉积P电极层和第一键合层； 步骤二，提供一CMOS驱动晶圆，在所述CMOS驱动晶圆表面沉积第二键合层，并将所述第一键合层和所述第二键合层进行键合； 步骤三，去除所述生长衬底及部分所述发光结构，对去除部分发光结构的外延层表面进行第一刻蚀，以形成若干独立的发光台面，在若干所述发光台面之间进行第二刻蚀，直至刻蚀至所述CMOS驱动晶圆表面，得到若干相互独立的微显示单元； 步骤四，在若干所述微显示单元之间沉积绝缘介质层，其中，所述绝缘介质层填充的高度大于所述微显示单元的高度，以使得若干所述微显示单元被所述绝缘介质层覆盖； 步骤五，对若干所述微显示单元之间的绝缘介质层进行刻蚀，使得若干所述微显示单元之间形成沟槽，在所述沟槽内填充导电材料，以得到导电沟槽； 步骤六，在相邻的所述导电沟槽之间沉积导电金属，形成金属电极，得到目标微显示芯片，所述金属电极的轴线方向与所述导电沟槽的轴线方向垂直，导电沟槽和金属电极均位于芯片的侧边，以防止芯片的出光被遮挡。

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