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龙图腾网获悉青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967891B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311448546.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其制作方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供包括NMOS区与PMOS区的衬底，衬底上形成有栅极结构、硬掩膜层、第一侧墙以及第一保护层或第二侧墙，NMOS区内的硬掩膜层的厚度大于PMOS区内的硬掩膜层的厚度；形成覆盖衬底的填充层；暴露出NMOS区内的硬掩膜层；去除NMOS区内剩余的填充层；去除NMOS区内部分厚度的硬掩膜层；去除PMOS区内填充层，在外延层表面形成氧化层；去除硬掩膜层、第二侧墙以及第一保护层。本发明能够避免对外延层以及NMOS区内的衬底造成损失，同时能够减小过刻蚀对PMOS区内的第一侧墙造成的损失，使得NMOS区与PMOS区最后保留的第一侧墙的高度相近，从而保证后续形成的侧墙的形貌。

本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，所述衬底包括NMOS区与PMOS区；在所述NMOS区内，所述衬底上形成有栅极结构、硬掩膜层、第一侧墙以及第一保护层，所述硬掩膜层位于所述栅极结构上，所述第一侧墙位于所述栅极结构与所述硬掩膜层的侧壁，所述第一保护层保形的覆盖第一硬掩膜层、所述第一侧墙与所述衬底；在所述PMOS区，在所述衬底上形成有栅极结构、硬掩膜层、第一侧墙以及第二侧墙，所述硬掩膜层位于所述栅极结构上，所述第一侧墙位于所述栅极结构与所述硬掩膜层的侧壁，所述第二侧墙位于所述第一侧墙的侧壁，在所述栅极结构两侧的所述衬底内还形成有外延层；且所述NMOS区内的所述硬掩膜层的厚度大于所述PMOS区内的所述硬掩膜层的厚度； 形成填充层，所述填充层覆盖所述衬底； 去除所述NMOS区内的部分所述填充层与部分所述第一保护层至暴露出所述硬掩膜层； 去除所述NMOS区内剩余的所述填充层； 去除所述NMOS区内部分厚度的所述硬掩膜层，至少在所述衬底上保留部分厚度的所述第一保护层； 去除所述PMOS区内的所述填充层，并进行氧化工艺在所述外延层表面形成氧化层；以及 去除所述NMOS区与所述PMOS区内的所述硬掩膜层、所述第二侧墙以及所述第一保护层，保留所述栅极结构侧壁的所述第一侧墙。

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