有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料(山东)有限公司贾倩获国家专利权
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龙图腾网获悉有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料(山东)有限公司申请的专利一种高纯钨靶材制备及回收利用的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120480199B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510954720.X，技术领域涉及：B22F8/00；该发明授权一种高纯钨靶材制备及回收利用的方法是由贾倩;何金江;敖景轩;范宁;华永乐;丁照崇设计研发完成，并于2025-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高纯钨靶材制备及回收利用的方法在说明书摘要公布了：本发明属于磁控溅射靶材制造技术领域，公开了一种高纯钨靶材制备及回收利用的方法。所述制备及回收方法，以使用后的钨残靶为原料，经过机械破碎及球磨后获得初级钨粉，破碎球磨后与氟气在高温下进行反应获得纯度2N~4N的低纯六氟化钨，再采用CVD沉积的方式获得纯度≥7N，O含量≤300ppm，杂质元素Fe、Ni、Cr、K、Mo≤0.01ppm，平均粒度≤3μm的二级钨粉，以此为原料可以再次进行高纯钨及钨合金靶材的制备。
本发明授权一种高纯钨靶材制备及回收利用的方法在权利要求书中公布了：1.一种高纯钨靶材的制备方法，其步骤如下： 1准备纯度≥5N的钨靶材或钨残靶，采用切割的方式切割为尺寸≤20*20mm的碎块，随后使用机械破碎的方式破碎为尺寸≤3*3mm的小碎块；使用球磨的方式将破碎后的钨碎块制备为粒度为1~20μm的初级钨粉末，球磨转速为50~200rmin，球磨时间为2-10h； 2使用固定床反应器使初级钨粉与氟气进行反应，获得低纯六氟化钨； 所述步骤2中，低纯六氟化钨的纯度为2N~4N； 3以步骤2获得的低纯六氟化钨及氢气为原料，在化学气相沉积CVD设备内进行沉积，最终获得二级钨粉； 所述步骤3中，化学气相沉积CVD设备中反应器的温度为900~1000℃；和化学气相沉积CVD设备中反应器的压力为0.5~1.5atm； 4将步骤3获得的二级钨粉经过烧结制备成品钨靶材； 所述步骤4中，所述成品钨靶材的纯度≥6N。
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