海南大学三亚研究院陈豪杰获国家专利权
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龙图腾网获悉海南大学三亚研究院申请的专利一种适用于碳化硅厚外延生长的圆环及基座获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223607435U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423075616.3，技术领域涉及：C30B25/12；该实用新型一种适用于碳化硅厚外延生长的圆环及基座是由陈豪杰;范谞;吕威;余乐俊;周辜名;吴开行设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于碳化硅厚外延生长的圆环及基座在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种适用于碳化硅厚外延生长的圆环及基座，圆环包括：圆环本体，所述圆环本体的下端面设置有向下延伸的第一环形凸起，所述第一环形凸起的横截面宽度小于所述圆环本体的横截面宽度；所述圆环本体的上端面设置有向上延伸的第二环形凸起；所述第二环形凸起的横截面宽度小于所述圆环本体的横截面宽度但大于所述第一环形凸起的横截面宽度，所述第二环形凸起的横截面为三角形，且所述第二环形凸起的横截面高度从靠近所述圆环本体内壁面的一端向所述圆环本体外壁面的一端逐渐降低。该圆环使用斜边式圆环结构，可以降低生长时副产物堆积过高对气流的扰动和减少副产物颗粒掉落在晶圆表面的概率。
本实用新型一种适用于碳化硅厚外延生长的圆环及基座在权利要求书中公布了：1.一种适用于碳化硅厚外延生长的圆环，其特征在于，包括： 圆环本体1，所述圆环本体1的下端面设置有向下延伸的第一环形凸起101，所述第一环形凸起101的横截面宽度小于所述圆环本体1的横截面宽度； 所述圆环本体1的上端面设置有向上延伸的第二环形凸起102；所述第二环形凸起102的横截面宽度小于所述圆环本体1的横截面宽度但大于所述第一环形凸起101的横截面宽度，所述第二环形凸起102的横截面为三角形，且所述第二环形凸起102的横截面高度从靠近所述圆环本体1内壁面的一端向所述圆环本体1外壁面的一端逐渐降低。
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