西安汉微磁电精密科技有限公司张卓获国家专利权
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龙图腾网获悉西安汉微磁电精密科技有限公司申请的专利一种化合物晶体生长用磁流体密封装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223609310U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520102455.8，技术领域涉及：F16J15/43；该实用新型一种化合物晶体生长用磁流体密封装置是由张卓;杨家华设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种化合物晶体生长用磁流体密封装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种化合物晶体生长用磁流体密封装置，包括空心转轴，空心转轴的表面分别设置有深沟球轴承和角接触轴承，深沟球轴承和角接触轴承的表面固定套接有法兰座，且法兰座与空心转轴之间对称设置有隔圈，隔圈之间设置有磁流体密封件，且法兰座的内腔开设有冷却通道，法兰座的底部开设有排液口，本实用新型涉及半导体制造设备技术领域。该化合物晶体生长用磁流体密封装置，将冷却液输送到冷却通道中，从而对整个磁流体密封装置进行降温，以及通过一对角接触轴承和深沟球轴承使空心转轴在转动的过程中可以实现高精度的转动，以及和隔圈整体的强度可以承受较高的轴向负载以及径向负载，满足晶体生长炉体内的负载要求。
本实用新型一种化合物晶体生长用磁流体密封装置在权利要求书中公布了：1.一种化合物晶体生长用磁流体密封装置，包括空心转轴1，其特征在于：所述空心转轴1的表面分别设置有深沟球轴承8和角接触轴承9，所述深沟球轴承8和角接触轴承9的表面固定套接有法兰座2，且法兰座2与空心转轴1之间对称设置有隔圈11，所述隔圈11之间设置有磁流体密封件7，且法兰座2的内腔开设有冷却通道4，所述法兰座2的底部开设有排液口6。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安汉微磁电精密科技有限公司，其通讯地址为：710116 陕西省西安市西咸新区沣东新城征和四路2168号自贸产业园4号楼2层9514室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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