湖北科技学院杨瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北科技学院申请的专利一种基于石墨烯-电介质双曲超材料的古斯-汉欣位移传感器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223610794U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520010263.4，技术领域涉及：G01B11/02；该实用新型一种基于石墨烯-电介质双曲超材料的古斯-汉欣位移传感器是由杨瑞;吴阳鑫;张晏菘;方明;赵东;赵苗苗设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于石墨烯-电介质双曲超材料的古斯-汉欣位移传感器在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种基于石墨烯‑电介质双曲超材料的古斯‑汉欣位移传感器，属于光学传感器技术领域。将石墨烯薄片和电介质薄片交替排列，形成周期性光子晶体结构,在近红外波段，对于给定的入射波长，在石墨烯和电介质组成的光子晶体中，通过调制石墨烯内电子的费米能级，色散空间呈现双曲色散特性。进一步通过改变费米能级、石墨烯层数和介质厚度，在双曲色散到椭圆色散的相变处，可以实现较大的GH位移，最大GH位移高达300倍入射波长。GH位移对波长响应十分灵敏，基于此效应，双曲型超材料高灵敏度电介质厚度和光波入射角度传感器。
本实用新型一种基于石墨烯-电介质双曲超材料的古斯-汉欣位移传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于石墨烯-电介质双曲超材料的古斯-汉欣位移传感器，其特征在于，包括相同数量的石墨烯薄片A和电介质薄片B，所述石墨烯薄片A和电介质薄片B交替堆叠形成一周期性光子晶体多层结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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