中国人民解放军军事科学院防化研究院邱景义获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军军事科学院防化研究院申请的专利一种适用于活性材料原位生长于自支撑电极的辐射制备装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223612428U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422958682.9，技术领域涉及：H01M4/04；该实用新型一种适用于活性材料原位生长于自支撑电极的辐射制备装置是由邱景义;陈熙邦;张泽宇;张浩;祝夏雨设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于活性材料原位生长于自支撑电极的辐射制备装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及自支撑电极应用领域，具体涉及一种适用于活性材料原位生长于自支撑电极的辐射制备装置。所述原位观测装置包括耐辐照塞子、辐照管、高导电自支撑基底、耐辐照细线和连接件。本实用新型提供的本实用新型提供的活性材料原位生长于自支撑电极的辐射制备装置，可以避免构建电极时使用粘结剂，暴露更多电极活性位点，极大地提高电极活性物质的电化学性能和现有的装置比，可以实现活性物质均匀地生长在导电自支撑基底上。
本实用新型一种适用于活性材料原位生长于自支撑电极的辐射制备装置在权利要求书中公布了：1.一种适用于活性材料原位生长于自支撑电极的辐射制备装置，其特征在于，包括耐辐照塞子1、辐照管2、高导电自支撑基底3、耐辐照细线4和连接件5； 所述辐照管2为一端开口的透明管体； 所述耐辐照细线4一端固定在高导电自支撑基底3，另一端固定在连接件5的底端；所述连接件5的顶端插入耐辐照塞子1；所述耐辐照塞子1盖于辐照管2的开口处，将辐照管2封闭； 所述耐辐照细线4固定在高导电自支撑基底3上方，利用高导电自支撑基底3的重力，使自支撑基底3垂直于含活性物质前驱体水溶液中，实现活性物质均匀地生长在导电自支撑基底上； 所述连接件5插入耐辐照塞子1，利用连接件5插入耐辐照塞子1的距离，调节自支撑基底3与含活性物质前驱体水溶液的距离，让活性物质更均匀地生长在导电自支撑基底上。
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