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龙图腾网获悉河南工业大学申请的专利一种多维度激发准BIC谐振的Ⅱ型结构及太赫兹超材料传感器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223612695U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422918281.0，技术领域涉及：H01Q15/00；该实用新型一种多维度激发准BIC谐振的Ⅱ型结构及太赫兹超材料传感器是由付麦霞;王东东;刘中昊;刘志辉;梁香帅设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多维度激发准BIC谐振的Ⅱ型结构及太赫兹超材料传感器在说明书摘要公布了：一种多维度激发准BIC谐振的Ⅱ型结构及太赫兹超材料传感器，包括沉积在基底上的两个第一I型银条带和两个第二I型银条带，两个第一I型银条带平行并关于y轴对称，两个第二I型银条带平行于x轴并分别与两个第一I型银条带连接组成Ⅱ型结构单元，基底与Ⅱ型结构单元由下至上构成太赫兹超材料传感器的微结构单元格；其中一个第一I型银条带由初始位置朝向另一个第一I型银条带移动的距离称为dw1，另一个第一I型银条带由初始位置朝向远离相邻一个第一I型银条带移动的距离称为dw2，dw1与dw2移动距离均为3～5μm；太赫兹超材料传感器包括nxn个周期性分布的上述微结构单元格。本实用新型能够多维度的激发准BIC同步提升调整深度与Q因子并优化新产生的准BIC谐振。

本实用新型一种多维度激发准BIC谐振的Ⅱ型结构及太赫兹超材料传感器在权利要求书中公布了：1.一种多维度激发准BIC谐振的Ⅱ型结构，其特征在于：包括沉积在基底1上的两个第一I型银条带2和两个第二I型银条带3，两个第一I型银条带2平行设置并分别居于关于y轴对称的正半轴与负半轴，两个第二I型银条带3平行于x轴设置并分别与两个第一I型银条带2的端部连接组成Ⅱ型结构单元，基底1与沉积在基底1上的Ⅱ型结构单元由下至上构成太赫兹超材料传感器的微结构单元格； 两个第一I型银条带2之中的一个第一I型银条带2由初始位置朝向另一个第一I型银条带2移动的距离称为dw1，另一个第一I型银条带2由初始位置朝向远离相邻一个第一I型银条带2移动的距离称为dw2，dw1与dw2移动的距离均为3～5μm； 基底1的长度和宽度均为90～95μm，基底1的厚度为25～30μm；第一I型银条带2的长度为60～65μm，第一I型银条带2的宽度为3～5μm，第二I型银条带3的长度为40～45μm，第二I型银条带3的宽度为6～10μm，第一I型银条带2与第二I型银条带3的厚度为0.2～0.5μm。

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