武汉国科光领半导体科技有限公司姚广峰获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉国科光领半导体科技有限公司申请的专利低欧姆接触电阻率的半导体结构及其半导体中间结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223612844U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423296052.6，技术领域涉及：H01S5/042；该实用新型低欧姆接触电阻率的半导体结构及其半导体中间结构是由姚广峰;付文锋设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本低欧姆接触电阻率的半导体结构及其半导体中间结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种低欧姆接触电阻率的半导体结构，包括衬底，所述衬底上依次叠层制作有：下限制层、多量子层、上限制层和盖层；还包括制作于所述盖层上且依次叠层设置的接触层和InP保护层；在有InP保护层的状态下，所述盖层、接触层和InP保护层用以形成半导体激光器的脊形波导层。本实用新型通过InP保护层对接触层进行有效保护，基于本结构制作半导体激光器时，在InP保护层保护下，可用新鲜的接触层表面与P型金属层进行接触，不仅能够实现降低欧姆接触电阻率的目的，并且在生产过程中还能提高产品的一致性和产品良品率。
本实用新型低欧姆接触电阻率的半导体结构及其半导体中间结构在权利要求书中公布了：1.一种低欧姆接触电阻率的半导体结构，包括衬底，所述衬底上依次叠层制作有：下限制层、多量子层、上限制层和盖层；其特征在于，还包括制作于所述盖层上且依次叠层设置的接触层和InP保护层；在有InP保护层的状态下，所述盖层、接触层和InP保护层用以形成半导体激光器的脊形波导层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉国科光领半导体科技有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园横路1号楚天传媒生产基地二期1号楼1-2层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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