无锡晶立源微电子技术有限公司侯明金获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡晶立源微电子技术有限公司申请的专利一种基于功率器件工作特性的预充电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223613312U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423055135.6，技术领域涉及：H03K17/687；该实用新型一种基于功率器件工作特性的预充电路是由侯明金;叶碧鑫;范捷设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于功率器件工作特性的预充电路在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种基于功率器件工作特性的预充电路，涉及预充电路技术领域，所述预充电路与供电电路中的电容模块连接，包括预充模块、采样模块以及控制模块，所述采样模块及控制模块均与预充模块连接，其中，所述预充模块至少包括MOSFET管Q2，所述采样模块用于采集MOSFET管Q2的源极电流并生成采样电压；所述控制模块用于根据采样电压控制MOSFET管Q2工作于可变电阻区。本实用新型基于MOSFET管工作于可变电阻区时表现出的可变电阻特性，通过控制模块控制MOSFET管Q2工作于可变电阻区，以利用MOSFET管Q2替代传统预充电路中的预充电阻完成预充工作，解决了传统预充电路体积大，器件成本高的问题。
本实用新型一种基于功率器件工作特性的预充电路在权利要求书中公布了：1.一种基于功率器件工作特性的预充电路，其特征在于，与供电电路中的电容模块连接，包括预充模块、采样模块以及控制模块，所述采样模块及控制模块均与预充模块连接，其中， 所述预充模块至少包括MOSFET管Q2，所述采样模块用于采集MOSFET管Q2的源极电流并生成采样电压；所述控制模块用于根据采样电压控制MOSFET管Q2工作于可变电阻区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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