台湾积体电路制造股份有限公司张瑞腾获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利堆叠集成电路结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223613741U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422919869.8，技术领域涉及：H10B80/00；该实用新型堆叠集成电路结构是由张瑞腾;张子璿;康惟诚;施长村;庄函伦;郭镇宇;黄亮锜;卢可程设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本堆叠集成电路结构在说明书摘要公布了：一种堆叠集成电路结构，包括第一半导体结构及第二半导体结构。第一半导体结构包括第一位元线、与第一位元线电性连接的至少一个第一SRAM单元、第一接合金属层、及将第一位元线连接至第一接合金属的第一金属线的至少一个第一垂直导电结构。第二半导体结构在第一半导体结构上方并与第一半导体结构接合。第二半导体结构包括第二位元线、与第二位元线电性连接的至少一个第二SRAM单元、第二接合金属层、及将第二位元线连接至第二接合金属层的第二金属线的至少一个第二垂直导电结构。第一接合金属层的第一金属线与第二接合金属层的第二金属线接合。
本实用新型堆叠集成电路结构在权利要求书中公布了：1.一种堆叠集成电路结构，其特征在于，包含： 一第一半导体结构，包含一第一位元线、至少一个第一静态随机存取记忆体单元、一第一接合金属层、及至少一个第一垂直导电结构，其中该至少一个第一静态随机存取记忆体单元与该第一位元线电性连接，该至少一个第一垂直导电结构将该第一位元线连接至该第一接合金属层的一第一金属线；及 一第二半导体结构，在该第一半导体结构上方并与该第一半导体结构接合，其中该第二半导体结构包含一第二位元线、至少一个第二静态随机存取记忆体单元、一第二接合金属层、至少一个第二垂直导电结构，其中该至少一个第二静态随机存取记忆体单元与该第二位元线电性连接，该至少一个第二垂直导电结构将该第二位元线连接至该第二接合金属层的一第二金属线，该第一接合金属层的该第一金属线与该第二接合金属层的该第二金属线接合。
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