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龙图腾网获悉扬州杰冠微电子有限公司申请的专利一种元胞布局器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223613742U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423172876.2，技术领域涉及：H10D30/65；该实用新型一种元胞布局器件是由王正;杨程;裘俊庆;万胜堂;王坤;王毅设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种元胞布局器件在说明书摘要公布了：一种元胞布局器件，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的SiCSub层、SiCDrift层、欧姆接触合金层和正面电极金属层；所述SiCDrift层上设有：P‑body区，设有若干，间隔设置，并分别从所述SiCDrift层的顶面向下延伸，呈十字形结构；NP区，设有若干，呈十字形结构，分别从所述P‑body区的顶面向下延伸，其底面与所述P‑body区的底面设有间距；所述NP区侧面与P‑body区侧面之间的间距形成沟道区；本实用新型P‑body区和NP区采用十字形布局结构设计，相较于传统的条型布局，可将器件中沟道区的面积增加20%‑30%，因此可以使通流路径的沟道区密度增加，导致SiCMOSFET器件单位面积的通流能力得到大幅提高，器件导通性能获得更优效果。

本实用新型一种元胞布局器件在权利要求书中公布了：1.一种元胞布局器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的SiCSub层1、SiCDrift层2、欧姆接触合金层9和正面电极金属层10； 所述SiCDrift层2上设有： P-body区3，设有若干，并分别从所述SiCDrift层2的顶面向下延伸，呈十字形结构； NP区4，设有若干，呈十字形结构，并分别从所述P-body区3的顶面向下延伸，其底面与所述P-body区3的底面设有间距；所述NP区4侧面与P-body区3侧面之间的间距形成沟道区； PP区5，从寄生体二极管相邻位置的所述NP区4顶面向下延伸，并与P-body区3连接； 栅氧化层6，位于相邻所述NP区4之间的顶面，底面分别于所述NP区4、P-body区3和SiCDrift层2连接； Poly层7，设置在所述栅氧化层6的顶面； 隔离介质层8，位于所述Poly层7的顶面，侧部向下延伸至所述NP区4的顶面。

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