瑞萨电子株式会社桥本千惠美获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109148423B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810662239.3，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权半导体装置是由桥本千惠美;矢山浩辅;常野克己;松崎智一设计研发完成，并于2018-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置。多晶硅电阻的模塑封装工艺结束后的电阻变动率大。为了能够实现高精度的修调，期望实现一种几乎不受到由于模塑封装工艺而在基板产生的应力的影响的电阻。电阻元件形成于多个布线层，具有第1导电层51、第2导电层52以及层间导电层53的重复图案，所述第1导电层51形成于第1布线层，所述第2导电层52形成于第2布线层，所述层间导电层53将第1导电层51与第2导电层52连接。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有： 半导体基板；以及 多个布线层，形成于所述半导体基板上，至少包括第1布线层以及第2布线层， 在所述多个布线层形成有电阻元件， 所述电阻元件具有第1导电层、第2导电层以及层间导电层的重复图案，所述第1导电层形成于所述第1布线层，所述第2导电层形成于所述第2布线层，所述层间导电层将所述第1导电层与所述第2导电层连接， 在所述第1布线层中，将所述第1导电层的长度方向设为第1方向，并将与所述第1方向垂直的方向设为第2方向， 包含于所述电阻元件中的多个所述层间导电层在所述第1方向和所述第2方向上排列成矩阵状，并且形成为在所述矩阵的端部使所述重复图案折回的蜿蜒小道结构， 所述层间导电层的电阻值大于所述第1导电层的电阻值与所述第2导电层的电阻值之和。
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