清华大学曾嵘获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利具有P型漂移区的GCT芯片结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110690268B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910884494.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有P型漂移区的GCT芯片结构及制备方法是由曾嵘;刘佳鹏;周文鹏;赵彪;余占清;陈政宇设计研发完成，并于2019-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有P型漂移区的GCT芯片结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于电力半导体器件领域，公开了一种具有P型漂移区的GCT芯片结构及制备方法，GCT芯片结构包括引出阳极的P+发射极、与所述P+发射极贴合的n+缓冲层、与所述n+缓冲层相贴合的P型漂移区以及n+发射极，在动态与静态过程中通过所述P型漂移区承受阳极、阴极间的电压差。本发明保证在大电流关断的过程中，削减动态雪崩效应的发生，以提供具备大电流关断能力。
本发明授权具有P型漂移区的GCT芯片结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GCT芯片结构，其特征在于，包括P+发射极、n+缓冲层、P型漂移区、P+区域；其中， P型漂移区和P+区域，直接采用均匀掺杂、特定电阻率和厚度的原始单晶硅作为P-基底制备：在P-基底的阴极面利用离子注入后扩散或沉积扩散形成； n+缓冲层，在P-基底的阳极面利用离子注入后扩散或沉积扩散形成； P+发射极，在n+缓冲层上利用离子注入后扩散或沉积扩散形成； 所述GCT芯片结构还包括n+发射极，利用离子注入或沉积在P-基底的阴极面形成薄层高浓度n型掺杂区，在P-基底的阴极面通过干法或湿法形成槽形，再通过热扩散推进形成； 所述GCT芯片结构阴极表面的金属电极高于门极表面的金属电极。
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