三星电子株式会社成东俊获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利可变电阻存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110858600B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910739568.8，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权可变电阻存储器装置是由成东俊;朴勇振;白晙焕;吴圭焕设计研发完成，并于2019-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本可变电阻存储器装置在说明书摘要公布了：一种可变电阻存储器装置可包括第一导线、多个堆叠结构和模制图案。第一导线可形成在衬底上。所述多个堆叠结构可形成在第一导线上，并且所述多个堆叠结构中的每一个包括彼此堆叠的下电极、可变电阻图案和中间电极。模制图案可形成在第一导线上，以填充所述多个堆叠结构之间的空间。模制图案的上部可包括表面处理层，并且模制图案的下部可包括非表面处理层。
本发明授权可变电阻存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种可变电阻存储器装置，包括： 衬底上的第一导线； 所述第一导线上的多个堆叠结构，其中，所述多个堆叠结构中的每一个包括彼此堆叠的下电极、可变电阻图案和中间电极；以及 所述第一导线上的模制图案，其填充所述多个堆叠结构之间的空间， 其中，所述模制图案的上部包括表面处理层，并且所述模制图案的下部包括非表面处理层, 其中，所述模制图案的上部包括第一氮化硅，所述模制图案的下部包括第二氮化硅，并且 其中，所述第一氮化硅的硬度大于所述第二氮化硅的硬度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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