台湾积体电路制造股份有限公司王嘉亨获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110875380B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910784536.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其制造方法是由王嘉亨;吴以雯;李振铭;杨复凯;王美匀设计研发完成，并于2019-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包含在半导体层上方形成外延源极漏极部件，其中外延源极漏极部件包含硅和锗，形成沟槽以暴露出外延源极漏极部件的一部分，对外延源极漏极部件暴露的部分进行退火，其中退火在外延源极漏极部件的顶表面上方形成具有第一锗浓度的第一区以及设置于第一区下方的具有小于第一锗浓度的第二锗浓度的第二区，将第一区氧化，移除氧化的第一区，以及在第二区上方的沟槽中形成源极漏极接点。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，包括: 在一半导体层上方形成一外延源极漏极部件，其中该外延源极漏极部件包含硅和锗； 形成一沟槽以暴露出该外延源极漏极部件的一部分； 对该外延源极漏极部件暴露的该部分进行一退火，其中该退火在该外延源极漏极部件的顶表面上方形成具有一第一锗浓度的一第一区以及设置于该第一区下方的具有小于该第一锗浓度的一第二锗浓度的一第二区； 将该第一区氧化； 移除氧化的该第一区；以及 在该第二区上方的该沟槽中形成一源极漏极接点。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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