台湾积体电路制造股份有限公司杨正宇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111128886B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911046066.3，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体装置的形成方法是由杨正宇;陈彦廷;李威养;杨丰诚;陈燕铭设计研发完成，并于2019-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的形成方法在说明书摘要公布了：此处说明包含具有切割金属栅极的鳍状场效晶体管的半导体装置与半导体装置的形成方法。方法包括形成切割金属栅极保护盖结构于半导体基板中的切割金属栅极虚置栅极插塞的顶部。切割金属栅极保护盖结构避免切割金属栅极区中的虚置填充材料消耗与损伤，亦避免蚀刻工艺时形成不想要的聚合物及或残留副产物于鳍状场效晶体管的外延区上表面上。
本发明授权半导体装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的形成方法，包括： 形成一开口于一半导体装置的一切割金属栅极区中，其中形成该开口后的该开口的侧壁包括一导电材料； 沉积一第一再填充材料于该开口中以形成一切割金属栅极插塞； 进行一化学机械研磨以露出一金属栅极结构； 蚀刻该第一再填充材料以形成一凹陷于该切割金属栅极插塞中； 将一第二再填充材料填入该凹陷以形成一盖结构于该切割金属栅极插塞的该第一再填充材料上；以及 形成多个接点至该切割金属栅极插塞所分隔的多个相邻装置的多个源极漏极区，其中形成该些接点的步骤包括： 以一第一蚀刻速率蚀刻该些源极漏极区中的一层间介电材料；以及 以一第二蚀刻速率蚀刻该盖结构，使多个接点开口形成于该些相邻装置的该些源极漏极区上并露出该些源极漏极区的上表面，且该第二蚀刻速率与该第一蚀刻速率不同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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