超威半导体公司威廉·L·瓦尔克获国家专利权
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龙图腾网获悉超威半导体公司申请的专利将高速缓存线从共用存储器页面冲洗到存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111480151B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880080249.4，技术领域涉及：G06F12/0871；该发明授权将高速缓存线从共用存储器页面冲洗到存储器是由威廉·L·瓦尔克;威廉·E·琼斯设计研发完成，并于2018-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本将高速缓存线从共用存储器页面冲洗到存储器在说明书摘要公布了：处理系统100从高速缓存302冲洗共享与被识别用于驱逐的高速缓存线304相同的存储器页面147的那些高速缓存线308、309。所述处理系统的高速缓存控制器175将所述高速缓存线识别为被调度用于驱逐。作为响应，所述高速缓存控制器识别与所述相同存储器页面相关联的额外“脏牺牲”高速缓存线已经在所述高速缓存处被修改但尚未写回到存储器的高速缓存线，并且将所述所识别的高速缓存线中的每一者写入到存储器105中的相同存储器页面。通过将与所述存储器页面相关联的所述脏牺牲高速缓存线中的每一者写入到存储器，所述处理系统减少了存储器开销并且改善了处理效率。
本发明授权将高速缓存线从共用存储器页面冲洗到存储器在权利要求书中公布了：1.一种改善处理系统的写入局部性的方法，其包括： 由处理器从高速缓存识别用于驱逐的第一高速缓存线，所述第一高速缓存线存储与存储器页面相关联的第一数据；以及 响应于识别出所述用于驱逐的第一高速缓存线： 搜索所述高速缓存以查找存储与所述存储器页面相关联的数据并且具有多个索引的中的第一索引的其他高速缓存线； 响应于搜索所述高速缓存，识别存储与所述存储器页面相关联的第二数据的第二高速缓存线；以及 响应于识别所述第二高速缓存线，将所述第一数据和所述第二数据写入到所述存储器页面， 其中所述高速缓存的所述多个索引中的所述第一索引指的是所述第一和第二高速缓存线，以及 其中所述第一数据和所述第二数据是根据所述第一索引来存储的。
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