富士电机株式会社丸山力宏获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111816617B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010119604.3，技术领域涉及：H01L23/10；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由丸山力宏设计研发完成，并于2020-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供半导体装置及半导体装置的制造方法。能高精度地将分别形成于壳体和金属基板的孔位置对准。半导体装置10的壳体30具备沿金属基板20的侧面包围侧面的侧壁部32a～32d；以及覆盖被侧壁部32a～32d包围的金属基板20的正面上并与安装孔21a～21d对应地形成有贯通的环孔35c、35d的被覆部33。在俯视时隔着环孔35c、35d对置的侧壁部32a～32d的内侧分别形成有突起部36a、36b。这样，金属基板被插入到被壳体30的侧壁部32a～32d包围的区域而被可靠地固定。此外，分别将这样插入的金属基板的安装孔和壳体的环孔高精度地位置对准。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有： 平板状的金属基板，其在俯视时呈矩形状，在周边形成有贯通的安装孔；以及 壳体，其具备侧壁部和被覆部，所述侧壁部沿着所述金属基板的侧面包围所述侧面，所述被覆部覆盖被所述侧壁部包围的所述金属基板的正面上，并与所述安装孔对应地形成有贯通的环孔， 在俯视时隔着所述环孔对置的所述侧壁部的内侧分别形成有突起部，所述突起部与所述金属基板的所述侧面抵接，所述突起部在俯视时隔着所述环孔形成在对置的所述侧壁部，且彼此正对。
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