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龙图腾网获悉德卡科技公司申请的专利用于功率装置的全模制半导体封装及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112204718B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980027586.1，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权用于功率装置的全模制半导体封装及其制造方法是由提莫泽·L·奥森;克里斯多佛·M·斯坎伦设计研发完成，并于2019-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于功率装置的全模制半导体封装及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种制作半导体装置的方法，可包括提供一半导体裸片，该半导体裸片包含一前表面，该前表面包含一栅极压焊点及一源极压焊点，该半导体裸片还包含与该前表面相对的一背表面，该背表面包含一漏极。一栅极立柱可形成于该栅极压焊点上方并耦接至该栅极压焊点。一源极立柱可形成于该源极压焊点上方并耦接至该源极压焊点。一封装物可形成于该半导体裸片上方。一通孔互连结构可延伸于该封装物的相对的第一表面与第二表面之间。一RDL可经耦接至该栅极立柱、该源极立柱、及至该通孔互连结构。在将该半导体裸片从其原生晶圆单切之后以及在形成该封装物于该半导体裸片上方之后，可将一焊盘压焊点形成于该半导体裸片的该背表面上方并耦接至该漏极。

本发明授权用于功率装置的全模制半导体封装及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种在最终半导体装置中不设置载体的情况下制作半导体装置的方法，其包含： 提供半导体裸片，该半导体裸片包含前表面，该前表面包含栅极压焊点及源极压焊点，该半导体裸片还包含与该前表面相对的背表面，该背表面包含漏极； 在该栅极压焊点上方形成与该栅极压焊点耦接的栅极立柱； 在该源极压焊点上方形成与该源极压焊点耦接的源极立柱； 在该半导体裸片上方形成封装物，且该封装物包含第一表面及与该第一表面相对的第二表面，该第一表面在该半导体裸片的该前表面上方，其中所述封装物接触所述栅极立柱的侧表面并接触所述源极立柱的侧表面； 在形成该封装物之前形成通孔互连结构，使得在形成该封装物之后该通孔互连结构在该封装物的该第一表面与该封装物的该第二表面之间延伸； 在形成该源极立柱和该通孔互连结构之后形成重新布线层RDL，该重新布线层耦接至该栅极立柱、该源极立柱、及该通孔互连结构；及 在将该半导体裸片从其原生晶圆单切之后以及在该半导体裸片上方形成该封装物之后，在该半导体裸片的该背表面上方形成与该漏极耦接的焊盘压焊点。

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