台湾积体电路制造股份有限公司王朝勋获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112510038B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010825708.6，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构是由王朝勋;李振铭;赵高毅;王美匀;周沛瑜;陈国儒设计研发完成，并于2020-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构，包括：源极漏极部件，设置于半导体层中、金属栅极堆叠，设置于第一层间介电层中并邻近源极漏极部件、第二层间介电层，设置于金属栅极堆叠上方、以及源极漏极接触件，设置于源极漏极部件上方。所述半导体结构还包括气隙，设置于源极漏极接触件的底部的侧壁与第一层间介电层之间，其中源极漏极接触件的顶部的侧壁与第二层间介电层直接接触。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 一源极漏极部件，设置于一半导体层中； 一第一层间介电层，设置于该源极漏极部件上方； 一第二层间介电层，设置于该第一层间介电层上方； 一源极漏极接触件，设置于该第一层间介电层与该第二层间介电层中以接触该源极漏极部件； 一气隙，设置于该源极漏极接触件的一底部的一侧壁与该第一层间介电层之间，其中该源极漏极接触件的一顶部的一侧壁与该第二层间介电层直接接触，且其中该气隙露出该源极漏极部件的一顶表面；以及 一蚀刻停止层，设置于该第二层间介电层上方，其中该蚀刻停止层为一第一蚀刻停止层，该半导体结构更包括一第二蚀刻停止层，设置于该第一层间介电层与该第二层间介电层之间，且其中该第二层间介电层之一底表面为覆盖该第二蚀刻停止层且封住该气隙的一顶部开口的一平面。
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