安世有限公司迪尔德·乔杜里获国家专利权
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龙图腾网获悉安世有限公司申请的专利半桥式半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670275B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011088983.0，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权半桥式半导体器件是由迪尔德·乔杜里;里卡多·杨多克;所罗伯·潘迪设计研发完成，并于2020-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半桥式半导体器件在说明书摘要公布了：本公开涉及分立半桥式半导体器件，其包括：第一共源共栅布置和第二共源共栅布置；第一共源共栅和第二共源共栅布置中的每一个包括高压FET器件管芯和低压FET器件管芯；其中，高压FET器件管芯的源极安装在低压FET器件管芯的漏极上，并连接到低压FET器件管芯的漏极；以及低压FET器件管芯的源极和高压FET器件管芯的栅极在公共连接焊盘处连接到第二共源共栅布置的高压FET器件管芯的漏极端子。
本发明授权半桥式半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种分立半桥式半导体器件，包括： 第一共源共栅布置和第二共源共栅布置； 所述第一共源共栅布置和所述第二共源共栅布置中的每一个包括高压FET器件管芯和低压FET器件管芯； 其中，所述高压FET器件管芯的源极安装在所述低压FET器件管芯的漏极上，并连接到所述低压FET器件管芯的漏极；并且 所述第一共源共栅布置的所述低压FET器件管芯的源极、所述第一共源共栅布置的所述高压FET器件管芯的栅极和所述第二共源共栅布置的所述高压FET器件管芯的漏极端子电连接和机械连接到公共连接焊盘。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安世有限公司，其通讯地址为：荷兰奈梅亨；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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