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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013089B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011508348.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体装置的制造方法是由陈彦廷;李威养;杨丰诚;陈燕铭设计研发完成，并于2020-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体装置及半导体装置的制造方法，并针对形成用于相邻鳍式场效晶体管finFET的源极漏极接触插塞。相邻鳍式场效晶体管的源极漏极区域嵌入层间介电质中，并通过隔离isolating相邻鳍式场效晶体管的栅极电极的切割金属栅极cut‑metalgate，CMG结构的隔离区域分隔separated。前述方法包括使隔离区域凹入；及形成穿过层间介电质的接触插塞开口，以经由接触插塞开口暴露设置在源极漏极区域上方的接触蚀刻停止层的一部分，且接触蚀刻停止层与隔离区域的材料不同。一旦经暴露，则移除接触蚀刻停止层的一部分，并在接触插塞开口中形成导电材料。导电材料与相邻鳍式场效晶体管的源极漏极区域接触并与隔离区域接触。

本发明授权半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括： 形成一栅极电极，且一第一介电材料相邻该栅极电极； 形成一间隙在该栅极电极中且在该第一介电材料中，该间隙分离该栅极电极为一第一切割栅极电极及一第二切割栅极电极； 以一隔离区域填充该间隙，该隔离区域具有使该第一切割栅极电极与该第二切割栅极电极电性隔离的一第一部分，该隔离区域还具有被嵌入在该第一介电材料中的一第二部分； 该隔离区域具有一第三部分，该第三部分在该第一介电材料的一底表面下方且具有非均匀宽度； 蚀刻一开口在该第一介电材料中，且经由该开口暴露一接触蚀刻停止层的一第一部分，并经由该开口暴露该接触蚀刻停止层的一第二部分，该隔离区域的一侧壁物理上地接触该接触蚀刻停止层，该隔离区域设置在介于该接触蚀刻停止层的该第一部分与该第二部分之间，其中蚀刻该开口在该第一介电材料的步骤亦蚀刻该隔离区域的该第二部分，以使该隔离区域的该第一部分的一最顶表面在该接触蚀刻停止层的该第一部分下方； 移除该接触蚀刻停止层的该第一部分，且经由该开口暴露一第一源极漏极区域，该接触蚀刻停止层包括一第二介电材料，该第二介电材料不同于该第一介电材料； 移除该接触蚀刻停止层的该第二部分，且经由该开口暴露一第二源极漏极区域；以及 形成连通该第一源极漏极区域及该第二源极漏极区域的一接触物在该开口中。

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