美光科技公司J·T·德步勒获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利包含导电互连结构的微电子装置、相关电子系统及相关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113016063B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980074763.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权包含导电互连结构的微电子装置、相关电子系统及相关方法是由J·T·德步勒;S·L·莱特设计研发完成，并于2019-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含导电互连结构的微电子装置、相关电子系统及相关方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及包含导电互连结构的微电子装置、相关电子系统及相关方法。一种微电子装置包括：导电线；导电着陆垫，其与所述导电线的导电线电连通；及导电互连结构，其与所述导电着陆垫电连通。所述导电互连结构包括：接触插塞，其与所述导电着陆垫电连通；及全局互连触点，其与所述接触插塞电连通且具有大于所述接触插塞的横向宽度。本发明还揭示相关电子系统及方法。
本发明授权包含导电互连结构的微电子装置、相关电子系统及相关方法在权利要求书中公布了：1.一种微电子装置，其包括： 导电线； 导电着陆垫，其与所述导电线的导电线电连通，所述导电着陆垫具有第一横向中心和第一横向宽度； 导电互连结构，其与所述导电着陆垫电连通，所述导电互连结构包括： 接触插塞，其与所述导电着陆垫物理接触，所述接触插塞具有第二横向中心和小于所述导电着陆垫的所述第一横向宽度的第二横向宽度；及 全局互连触点，其具有与所述接触插塞物理接触的第一纵向端部和与所述第一纵向端部相对的第二纵向端部，所述全局互连触点的所述第一纵向端部具有第三横向中心， 所述全局互连触点的所述第一纵向端部具有小于所述导电着陆垫的所述第一横向宽度但大于所述接触插塞的所述第二横向宽度的第三横向宽度， 所述全局互连触点具有大于所述接触插塞的纵横比的纵横比， 其中所述接触插塞的超过一半的纵向高度在所述全局互连触点中垂直延伸并与所述全局互连触点物理接触，且 其中所述接触插塞的所述第二横向中心从所述导电着陆垫的所述第一横向中心和所述全局互连触点的所述第三横向中心中的至少一者偏移。
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