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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种用于高温储能电容器的聚对二甲苯薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113307949B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110299642.6，技术领域涉及：C08G61/02；该发明授权一种用于高温储能电容器的聚对二甲苯薄膜及其制备方法是由张志成;樊星;程益品设计研发完成，并于2021-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于高温储能电容器的聚对二甲苯薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：一种用于高温储能电容器的聚对二甲苯薄膜及其制备方法，具体如下：a、将N型、C型和F型三种对二甲苯二聚体进行提纯；b、将提纯后的二聚体粉末放入供料仓升华区，升华为气体；c、二聚体气体与惰性气体充分混合后由惰性气体带入裂解区，高温下二聚体CH2‑CH2键断裂，生成高温下稳定的对二甲苯双自由基活性单体；d、在惰性气体的推动下，进入低温度的真空沉积区，在基体材料表面自发聚合沉积为薄膜；本发明采用化学气相沉积法，采用不同类型的对二甲苯环二体为前驱体，可制得不同类型聚对二甲苯薄膜；可控制薄膜的组成、结构和厚度，表面平整、结构致密，可用于任何基底，也可进一步改性活性界面。

本发明授权一种用于高温储能电容器的聚对二甲苯薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于高温储能电容器的聚对二甲苯薄膜的制备方法，其特征在于，具体如下： a、将N型、C型和F型三种对二甲苯二聚体进行提纯； b、将提纯后的二聚体粉末放入供料仓升华区，升华为气体； c、二聚体气体与惰性气体充分混合后，由惰性气体带入裂解区，高温下二聚体CH2-CH2键断裂，生成高温下稳定的对二甲苯双自由基活性单体； d、随后在惰性气体的推动下，进入低温度的真空沉积区，在基体材料表面自发聚合沉积为薄膜；包括N型、C型和F型三种，结构式如下： 所述的步骤a中的N型、C型和F型三种对二甲苯二聚体，其结构式分别为： 所述的步骤b中升华区温度控制在150～170℃； 所述的步骤b中升华区压强控制在0.5mbar； 所述的步骤c中惰性气体包括氩气； 所述的步骤c中裂解区温度控制在600～700℃； 所述的步骤c中裂解区压强控制在0.1mbar； 所述的步骤d中沉积区温度控制在-40～60℃； 所述的步骤d中沉积区压强控制在0.02mbar； 所述的步骤d中基体材料采用硅片或铝基。

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