买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利柔性可编程存储器、制备方法及其反相器、逻辑门电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921599B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111174430.1，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权柔性可编程存储器、制备方法及其反相器、逻辑门电路是由孙翊淋;丁英涛;李明杰;刘志方;陈志铭设计研发完成，并于2021-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本柔性可编程存储器、制备方法及其反相器、逻辑门电路在说明书摘要公布了：公开一种柔性可编程存储器、制备方法、利用柔性可编程存储器构建的可编程反相器、可编程逻辑门电路，解决了将Parylene及其上的电子器件转移至任意柔性衬底上的柔性电子器件制备工艺，避免了器件加工过程对器件的机械损伤；同时，通过优化工艺流程，利用金属电极作为掩模实现对有机铁电栅薄膜的图形化，实现了有机材料与传统CMOS工艺的相兼容。这种柔性可编程存储器，其从下至上包括：派瑞林薄膜、二维材料、作为源极和漏极的金属、有机铁电薄膜、栅极金属；在派瑞林Parylene薄膜的下表面贴附柔性衬底。

本发明授权柔性可编程存储器、制备方法及其反相器、逻辑门电路在权利要求书中公布了：1.利用柔性可编程存储器构建的反相器，其特征在于：柔性可编程存储器从下至上包括：派瑞林薄膜、二维材料、作为源极和漏极的金属、有机铁电薄膜、栅极金属；在派瑞林Parylene薄膜的下表面贴附柔性衬底； 所述派瑞林薄膜的厚度为2～50μm，选取硅氧化硅衬底作为支撑，氧化硅厚度为100～300nm,在其表面利用真空气相沉积工艺制备； 所述二维材料为MoS2，CVD法生长制备，尺寸为1cm*1cm； 所述作为源极和漏极的金属为CrAu栅极金属为Au； 所述有机铁电薄膜为PVDF-TrFE薄膜； 所述柔性衬底为PET、布料、或树叶； 反相器中，将第一器件T1的栅极与VDD相连，作为负载电阻，第二器件T2作为下拉管由栅极控制工作状态，栅极作为反相器的电压信号输入端；当输入信号Vin为低电平时，看作输入信号0，第二器件处于截止状态，由于第一器件栅源电压与源漏电压始终相等，所以第一器件一直处于开启状态，此时输出电压Vout等于VDD-VT1，其中VDD为电源电压，VT1为第一器件分压，因此第一器件处于导通状态，认为Vout约等于VDD，输出高电平，输出信号1；反之，输入信号Vin为高电平，第二器件导通，此时Vout由第一器件和第二器件导通电阻的比值决定，通过结构设计，使第二器件导通电阻远小于第一器件的导电电阻，此时，Vout认为等于0，输出低电平，输出信号0。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京理工大学，其通讯地址为：100081 北京市海淀区中关村南大街5号北京理工大学；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。