南京邮电大学卞临沂获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005938B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110659295.3，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器是由卞临沂;解蒙;张忍;张哲玮;解令海设计研发完成，并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器，该存储器从下至上依次包括衬底及基于该衬底之上的栅电极、栅绝缘层、柱极体层、有机半导体层及源漏电极，所述驻极体层为芴酮类聚合物，芴酮类聚合物的厚度为10～30nm。通过旋涂溶液法将不同组分的芴酮类聚合物驻极体制备成电荷俘获层薄膜，基于此电荷俘获层的OFET存储器不仅可以在光电的调控下实现双向的电荷存储，还可以实现ms级别的快速响应及良好的双向耐受性，并且整个操作工艺简单、成本低廉，该方法是一种改善聚合物存储行为的有效且通用的方法，制备的非易失性OFET存储器可应用在柔性及穿戴电子设备中，有利于未来存储器件的进一步发展推广与生产。
本发明授权一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器在权利要求书中公布了：1.一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：该有机场效应晶体管存储器从下至上依次包括衬底及基于该衬底之上的栅电极、栅绝缘层、柱极体层、有机半导体层及源漏电极，所述柱极体层为芴酮类聚合物，芴酮类聚合物的厚度为10～30nm； 所述芴酮类聚合物的结构通式如下： 其中：x为1～100中的自然数，y为1～100中的自然数，x+y＝100，n为1～300中的自然数；Ar为含芳烃共轭结构单元，具体为以下结构中的一种： 其中：R1和R2为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或其烷氧基链。
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