格芯(美国)集成电路科技有限公司西瓦·P·阿度苏米利获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利具有多层多晶半导体区域的块体半导体结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110787534.3，技术领域涉及：H01L21/74；该发明授权具有多层多晶半导体区域的块体半导体结构和方法是由西瓦·P·阿度苏米利;马克·D·莱维设计研发完成，并于2021-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有多层多晶半导体区域的块体半导体结构和方法在说明书摘要公布了：本发明公开具有多层多晶半导体区域的块体半导体结构和方法，块体半导体结构包括具有多层多晶半导体区域的半导体基板，包括一或多个第一层部分即埋置部分和一或多个第二层部分即非埋置部分。各第一层部分可在半导体基板内顶面以下一段距离即埋置，可在单晶半导体区域和或沟槽隔离区域下方对准，且可具有第一最大深度。各第二层部分可位于半导体基板的顶面内，可横向邻接沟槽隔离区域，且可具有小于第一最大深度的第二最大深度。还公开形成块体半导体结构的方法实施例，多层多晶半导体区域的第一层和第二层部分同时形成如使用单模块。
本发明授权具有多层多晶半导体区域的块体半导体结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 半导体基板；以及 沟槽隔离区域，其位于该半导体基板中， 其中，该半导体基板包括： 单晶半导体区域，其位于横向邻接第一沟槽隔离区域的第一侧的该半导体基板的顶面处；以及 多层多晶半导体区域，其包括： 第一层部分，其位于该单晶半导体区域下方，且该第一层部分是埋置部分；以及 第二层部分，其位于横向邻接相对于该第一侧的该第一沟槽隔离区域的第二侧的该半导体基板的该顶面处，且该第二层部分是非埋置部分，其中，该第一层部分具有第一最大深度，且该第二层部分具有小于该第一最大深度的第二最大深度。
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