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龙图腾网获悉深圳飞骧科技股份有限公司申请的专利射频功率放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114094950B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111351557.6，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权射频功率放大器是由谢志远;赵宇霆;郭嘉帅设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频功率放大器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种射频功率放大器，包括偏置电路，该偏置电路中，第三晶体管的基极连接至第三晶体管的集电极，集电极连接至基准电压源，发射极连接至第二晶体管的集电极；第二晶体管的基极连接至第二晶体管的集电极，发射极接地；第四晶体管的基极连接至第三晶体管的基极，集电极连接至供电电压源，发射极通过串联所述热效应抑制电阻后连接至第一晶体管的基极；第一电容的第一端连接至第四晶体管的发射极，第一电容的第二端连接接地；第二电容的第一端连接至第四晶体管的基极，第二电容的第二端连接至第一晶体管的集电极。与相关技术相比，本发明的射频功率放大器中，其偏置电路对晶体管热效抑制效果好且提供静态电流稳定性更优，输出功率高且一致性好。

本发明授权射频功率放大器在权利要求书中公布了：1.一种射频功率放大器，包括输入端、输出端，第一晶体管及偏置电路；所述第一晶体管的基极连接至所述输入端，所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管的集电极连接至所述输出端，所述偏置电路搭接至所述第一晶体管的基极与所述输入端之间，其特征在于，所述偏置电路包括： 第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容、第二电容、热效应抑制电阻； 所述第三晶体管的基极连接至所述第三晶体管的集电极，所述第三晶体管的集电极连接至基准电压源，所述第三晶体管的发射极连接至所述第二晶体管的集电极； 所述第二晶体管的基极连接至所述第二晶体管的集电极，所述第二晶体管的发射极接地； 所述第四晶体管的基极连接至所述第三晶体管的基极，所述第四晶体管的集电极连接至供电电压源，所述第四晶体管的发射极通过串联所述热效应抑制电阻后连接至所述第一晶体管的基极； 所述第一电容的第一端连接至所述第四晶体管的发射极，所述第一电容的第二端接地； 所述第二电容的第一端连接至所述第四晶体管的基极，所述第二电容的第二端连接至所述第一晶体管的集电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳飞骧科技股份有限公司，其通讯地址为：518057 广东省深圳市南山区南头街道大汪山社区南光路286号水木一方大厦1栋1601；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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