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龙图腾网获悉株洲中车时代半导体有限公司申请的专利功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111537706.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权功率半导体器件是由王亚飞;卢吴越;宋瓘;李乐乐;张文杰;王志成;刘小东;朱奇伟;李诚瞻设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括第一导电类型碳化硅衬底和位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层，以及设置于所述漂移层上的有源区、终端区和位于所述有源区与所述终端区之间的主结区；所述有源区包括多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第一掺杂区，以及位于漂移层上方的第一金属层和第二金属层；所述主结区包括设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第二掺杂区，以及覆盖所述第二掺杂区部分上表面的电阻层；所述电阻层具有正的温度系数；所述第一金属层、所述第二金属层和所述电阻层相互电连接。通过在主结区设置具有正的温度系数的电阻层，抑制芯片主结上的浪涌电流，降低主结金属被熔化的风险。

本发明授权功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：第一导电类型衬底和位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层，以及设置于所述漂移层上的有源区、终端区和位于所述有源区与所述终端区之间的主结区； 其中，所述有源区包括多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第一掺杂区，以及位于漂移层上方的第一金属层和第二金属层； 所述第一金属层覆盖所述第一掺杂区的部分上表面并与所述第一掺杂区形成欧姆接触；所述第二金属层覆盖所述漂移层未被所述第一掺杂区覆盖的部分上表面，并与该部分所述漂移层形成肖特基接触； 所述主结区包括设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第二掺杂区，以及覆盖所述第二掺杂区部分上表面的电阻层；所述电阻层具有正的温度系数； 所述第一金属层、所述第二金属层和所述电阻层相互电连接； 所述主结区还包括：覆盖所述电阻层部分上表面并与所述电阻层形成欧姆接触的第三金属层； 所述第二金属层还覆盖所述电阻层未被所述第三金属层覆盖的部分上表面，并与该部分所述电阻层形成欧姆接触。

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