买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉株洲中车时代半导体有限公司申请的专利集成SBD的碳化硅MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220844B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111539417.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权集成SBD的碳化硅MOSFET器件及其制备方法是由罗烨辉;王亚飞;郑昌伟;王志成;刘启军;刘小东;李诚瞻设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成SBD的碳化硅MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成SBD的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，包括衬底、N‑外延层、P阱区、结型场效应区的P+区、源极槽区的P+区和N+区、第一欧姆接触金属层、第一肖特基接触金属层、第二欧姆接触金属层和第二肖特基接触金属层；结型场效应区的P+区位于P阱区远离N+区的一侧；第二欧姆接触金属层覆盖结型场效应区的P+区背离N‑外延层的一面；第一肖特基接触金属层位于第二欧姆接触金属层远离P阱区的一侧；第二肖特基接触金属层设置在第二欧姆接触金属层背离结型场效应区的P+区的一侧，与结型场效应区的P+区平行。本发明在能够降低源极接触电阻，提升碳化硅器件的通流能力，提高碳化硅器件的可靠性。

本发明授权集成SBD的碳化硅MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成SBD的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括若干个元胞结构，所述元胞结构包括衬底、形成于所述衬底上的N-外延层；位于所述N-外延层内的P阱区、结型场效应区的P+区、源极槽区的P+区和N+区；位于所述N-外延层上的第一欧姆接触金属层、第一肖特基接触金属层、第二欧姆接触金属层和第二肖特基接触金属层； 其中，所述P阱区和所述源极槽区的P+区相邻，所述N+区位于P阱区内，所述源极槽区的P+区与N+区相邻； 所述第一欧姆接触金属层的第一部分覆盖所述N+区背离所述N-外延层的一面的部分区域，所述第一欧姆接触金属层的第一部分覆盖所述N+区朝向所述源极槽区的P+区的一面的部分区域，所述第一欧姆接触金属层的第一部分覆盖所述源极槽区的P+区背离所述N-外延层的一面； 所述结型场效应区的P+区位于所述P阱区远离所述N+区的一侧；所述结型场效应区的P+区的深度和所述源极槽区的P+区的深度一致；所述第二欧姆接触金属层覆盖所述结型场效应区的P+区背离所述N-外延层的一面；所述第一肖特基接触金属层与所述第二欧姆接触金属层并排排列，且所述第一肖特基接触金属层位于所述第二欧姆接触金属层远离所述P阱区的一侧；所述第二肖特基接触金属层设置在所述第二欧姆接触金属层背离所述结型场效应区的P+区的一侧，且与所述结型场效应区的P+区平行；所述第二欧姆接触金属层用于阻断所述第一肖特基接触金属层和所述第二肖特基接触金属层之间的连接；所述结型场效应区的P+区与所述第二欧姆接触金属层接触，且所述结型场效应区的P+区与所述第一肖特基接触金属层和所述第二肖特基接触金属均不接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株洲中车时代半导体有限公司，其通讯地址为：412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。