雷声公司J·R·拉罗什获国家专利权
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龙图腾网获悉雷声公司申请的专利具有改进的栅极结构的场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114223055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080057242.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权具有改进的栅极结构的场效应晶体管是由J·R·拉罗什;J·P·贝当古;P·J·杜瓦尔;K·P·叶设计研发完成，并于2020-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有改进的栅极结构的场效应晶体管在说明书摘要公布了：一种场效应晶体管，其包括形成竖直结构的栅极触点和栅极金属，所述竖直结构具有被气隙包围的侧面和顶部，所述气隙形成在场效应晶体管的源极电极和漏极电极之间。
本发明授权具有改进的栅极结构的场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.场效应晶体管，其包括： 形成竖直结构的栅极触点和栅极金属，所述竖直结构具有被气隙包围的侧面和顶部，所述气隙形成在所述场效应晶体管的源极电极和漏极电极之间；以及 竖直堆栈，所述竖直堆栈包括： III-N缓冲层的一部分、III-N沟道层的一部分和III-V缓冲层的一部分；以及 设置在所述III-N缓冲层上的均匀厚度、水平延伸的掺杂GaN层，所述均匀厚度、水平延伸的掺杂GaN层具有竖直延伸穿过的孔，所述孔具有竖直延伸的侧壁，所述侧壁终止于所述III-N缓冲层的水平延伸的上表面部分， 其中，所述竖直堆栈竖直向上延伸到所述孔中并位于所述孔的竖直延伸的侧壁之间，并且 其中，所述竖直结构被设置在所述竖直堆栈上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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