联华电子股份有限公司郭致玮获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256412B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011020940.9，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由郭致玮设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构，包含一电阻式随机存取存储器RRAM，一第一间隙壁结构，位于该电阻式随机存取存储器的两侧，一第二间隙壁结构，位于该第一间隙壁结构的外侧，其中该第二间隙壁结构包含有金属材料或是金属氧化物材料，以及一第三间隙壁结构，位于该第二间隙壁结构的外侧。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包含： 电阻式随机存取存储器RRAM，包含下电极、电阻转换层以及上电极； 第一间隙壁结构，位于该电阻式随机存取存储器的两侧； 第二间隙壁结构，位于该第一间隙壁结构的外侧，其中部分的该第二间隙壁结构位于该第一间隙壁结构上方且直接接触该上电极的侧壁，该第二间隙壁结构包含有金属材料或是金属氧化物材料，其中该第一间隙壁结构与该上电极的交界面的顶端被该第二间隙壁结构覆盖；以及 第三间隙壁结构，位于该第二间隙壁结构的外侧。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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