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龙图腾网获悉芜湖启迪半导体有限公司申请的专利一种具有高浪涌电流的碳化硅MPS二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267719B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111528940.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有高浪涌电流的碳化硅MPS二极管是由罗茂久;邢婷婷;钮应喜;袁松;彭强;乔庆楠设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高浪涌电流的碳化硅MPS二极管在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种具有高浪涌电流的碳化硅MPS二极管，依次由阴极欧姆接触电极、碳化硅N+衬底、碳化硅N‑外延层层叠构成，所述碳化硅N‑外延层上间隔设置有多个P+注入区，所述P+注入区上设有欧姆接触电极，所述欧姆接触电极之间的间隙由肖特基接触电极填充，所述碳化硅N‑外延层两侧均设有双极性传输层。本发明MPS二极管由于变掺杂的双极性传输层存在，降低了MPS二极管的PN结导通电压，使二极管可以在更低的电流下提前进入双极性工作状态，发生电导调制效应，使二极管的导通电阻降低，降低二极管在大电流下的芯片温度，从而提高二极管的抗浪涌电流能力，也能提高MPS二极管的反向击穿电压。

本发明授权一种具有高浪涌电流的碳化硅MPS二极管在权利要求书中公布了：1.一种具有高浪涌电流的碳化硅MPS二极管，依次由阴极欧姆接触电极、碳化硅N+衬底、碳化硅N-外延层层叠构成，所述碳化硅N-外延层上间隔设置有多个P+注入区，所述P+注入区上设有欧姆接触电极，所述欧姆接触电极之间的间隙由肖特基接触电极填充，其特征在于：所述碳化硅N-外延层两侧均设有双极性传输层； 所述P+注入区与碳化硅N-外延层之间的双极性传输层为第一双极性传输层，所述碳化硅N-外延层与碳化硅N+衬底之间的双极性传输层为第二双极性传输层，所述第一双极性传输层将P+注入区包含进去，所述双极性传输层的厚度均大于P+注入区的深度； 碳化硅N-外延层的掺杂浓度为2E16cm-3； 所述第一双极性传输层的杂质掺杂分布均为线性分布，从上往下掺杂浓度从高往低分布，第一双极性传输层掺杂浓度从2E16cm-3到1E16cm-3从高到低线性分布， 所述第二双极性传输层的杂质掺杂分布均为线性分布，从上往下掺杂浓度从高往低分布，第二双极性传输层掺杂浓度从2E16cm-3到1E16cm-3从高到低线性分布； 所述第一双极性传输层和第二双极性传输层的厚度相同，厚度为1微米。

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