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龙图腾网获悉珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司申请的专利一种快速恢复二极管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334645B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011037492.3，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种快速恢复二极管的制备方法是由葛孝昊;曾丹;史波;赵浩宇设计研发完成，并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种快速恢复二极管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种快速恢复二极管的制备方法，该方法将离子注入工艺与中子嬗变工艺相结合用于制备快速恢复二极管，在保证快速恢复二极管性能的前提下，大大简化了快速恢复二极管的制备工艺，降低了制备周期。其中，快速恢复二极管的制备方法包括：在N‑型衬底上表面制备快速恢复二极管FRD的正面结构；通过离子注入工艺分别从N‑型衬底的背面注入氢离子和磷离子以及通过中子嬗变工艺从N‑型衬底的背面注入中子，并通过预设温度对N‑型衬底进行退火激活处理，以形成与N‑型衬底导电类型相同的多层场截止层，氢离子位于第一场截止层，中子位于第二场截止层，磷离子位于第三场截止层；在N‑型衬底的下表面制备FRD的阴极区域。

本发明授权一种快速恢复二极管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种快速恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在N-型衬底上表面制备快速恢复二极管FRD的正面结构； 通过离子注入工艺分别从所述N-型衬底的背面注入氢离子和磷离子以及通过中子嬗变工艺从所述N-型衬底的背面注入中子，并通过预设温度对所述N-型衬底进行退火激活处理，以形成与所述N-型衬底导电类型相同的多层场截止层，其中，注入的所述中子用于将所述N-型衬底中部分硅原子的同位素转变为磷原子，所述氢离子位于第一场截止层，所述中子位于第二场截止层，所述磷离子位于第三场截止层，所述N-型衬底内部除所述第一场截止层、所述第二场截止层以及所述第三场截止层以外的区域为N-漂移区，所述N-漂移区、所述第一场截止层、所述第二场截止层以及所述第三场截止层距离所述N-型衬底上表面的距离依次递增，且形成的杂质浓度依次递增； 在所述N-型衬底的背面制备所述FRD的阴极区域； 其中，所述通过离子注入工艺分别从所述N-型衬底的背面注入氢离子和磷离子以及通过中子嬗变工艺从所述N-型衬底的背面注入中子，包括：同时通过不同的注入设备向所述N-型衬底中的不同区域注入所述氢离子、所述磷离子和所述中子。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司，其通讯地址为：519015 广东省珠海市香洲区吉大景山路莲山巷8号1001室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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