芜湖启迪半导体有限公司高欣源获国家专利权
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龙图腾网获悉芜湖启迪半导体有限公司申请的专利一种抑制电流崩塌的HEMT器件及其生产方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335145B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111649102.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种抑制电流崩塌的HEMT器件及其生产方法是由高欣源;李晋;杨淞义;钟敏;袁松;钮应喜;赵海明;赵清;单卫平设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抑制电流崩塌的HEMT器件及其生产方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体及半导体制造技术领域，具体来说是一种抑制电流崩塌的HEMT器件及其生产方法，包括衬底，所述衬底上设有成核层；所述成核层上设有缓冲层；所述缓冲层上设有沟道层；所述沟道层上设有势垒层；所述势垒层上具有源极、栅极以及漏极；所述栅极与势垒层之间设有P‑GaN层；所述源极与势垒层之间设有存储层；所述源极与栅极以及栅极与漏极之间均设有钝化层；本发明公开了一种抑制电流崩塌的HEMT器件，本发明通过存储层设置，器件关断时，源极下方pGaN电荷存储层中的净负电荷有效加速2DEG的耗尽，减小关断时间，降低器件关断损耗；器件开启时，存储层中净负电荷减少，有助于2DEG恢复，减小开启时间，降低开启损耗。
本发明授权一种抑制电流崩塌的HEMT器件及其生产方法在权利要求书中公布了：1.一种抑制电流崩塌的HEMT器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设有成核层；所述成核层上设有缓冲层；所述缓冲层上设有沟道层；所述沟道层上设有势垒层；所述势垒层上具有源极、栅极以及漏极；所述栅极与势垒层之间设有P-GaN层；所述源极与势垒层之间设有存储层；所述源极与栅极以及栅极与漏极之间均设有钝化层； 所述势垒层上设有凹槽组；所述凹槽组布置势垒层靠近漏极一端；所述凹槽组布置在栅极与漏极之间区域的下方；所述凹槽组包括多个设置势垒层上的凹槽体；所述钝化层延伸至各个凹槽体内； 相邻凹槽体之间具有高度差；靠近栅极一侧凹槽体深度最大，所述凹槽组中的各个凹槽体深度由栅极向漏极一侧逐步减少。
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