台湾积体电路制造股份有限公司野口纮希获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器器件及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388009B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110914550.4，技术领域涉及：G11C7/04；该发明授权存储器器件及其操作方法是由野口纮希;池育德;王奕设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件及其操作方法在说明书摘要公布了：一种存储器器件，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；温度传感器，被配置为检测存储器单元阵列的温度；写入电路，被配置为将数据写入到多个存储器单元中；控制器，耦合到温度传感器和写入电路，其中，控制器被配置为基于检测到的存储器器件的温度来确定写入电路使用的目标写入脉冲宽度。本发明的实施例还提供了操作存储器器件的方法。
本发明授权存储器器件及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种操作存储器器件的方法，包括： 生成温度相关表； 检测存储器器件的温度； 检测所述存储器器件的写入错误率； 基于检测到的所述存储器器件的所述温度确定目标写入脉冲宽度；以及 使用所述目标写入脉冲宽度将数据写入所述存储器器件， 其中，生成所述温度相关表包括： 提供所述存储器器件和测试系统； 扫描所述存储器器件的所述温度、写入脉冲宽度和电压； 计算在不同所述温度、所述写入脉冲宽度和所述电压下的所述写入错误率； 基于在不同条件下计算得到的所述写入错误率来生成所述温度相关表； 将所述温度相关表存储在所述存储器器件的存储体。
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