绍兴中芯集成电路制造股份有限公司沈新林获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210050979.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法是由沈新林;陈一;丛茂杰设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法。具体在制备栅极介质层时，通过控制介质层在沟槽侧壁上的厚度和衬底顶表面上的厚度，以在保证晶体管性能的同时，提高了衬底顶表面上的介质层的厚度，从而增强对衬底顶表面的保护力度，避免了研磨工艺所带来的衬底损伤，提高所形成的器件性能。
本发明授权屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，并在所述衬底中形成沟槽； 在所述沟槽的下部分中形成屏蔽电极，并在所述屏蔽电极上形成隔离层； 执行热氧化工艺以形成第一介质层，所述第一介质层至少覆盖所述沟槽的上部分侧壁，以构成第一栅极介质层； 执行横向成膜速率高于纵向成膜速率的沉积工艺以形成第二介质层，所述第二介质层具有覆盖所述沟槽的上部分侧壁的侧壁部，所述侧壁部构成第二栅极介质层，以及所述第二介质层还具有覆盖衬底顶表面的台面部，并且所述台面部的厚度大于所述侧壁部的厚度；以及， 沉积栅电极材料层，所述栅电极材料层填充所述沟槽的上部分，并且还覆盖所述衬底的顶表面，之后对所述栅电极材料层执行研磨工艺，并研磨停止于所述第二介质层的所述台面部，以去除所述衬底的顶表面上的栅电极材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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