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龙图腾网获悉常州纵慧芯光半导体科技有限公司申请的专利一种激光器阵列结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114498302B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011150076.4，技术领域涉及：H01S5/42；该发明授权一种激光器阵列结构及其制作方法是由封飞飞;郭栓银;宋杰;施展设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种激光器阵列结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种激光器阵列结构及其制作方法，结构包括：m个激光器阵列单元，每个激光器阵列单元包括：绝缘衬底；外延层，外延层位于绝缘衬底的一侧表面上，沿第一方向，外延层间隔预设距离布置n个台阶；每个台阶包括第一表面和第二表面，第一表面上设置N接触电极，第二表面上设置P接触电极；沿第一方向，N接触电极、P接触电极依次布置，第n‑1个P接触电极与第n个N接触电极电连接；沿第二方向，m个N接触电极中的第一列连接在一起，m个P接触电极中的第n列连接在一起，第二方向与第一方向垂直，第一方向为外延层的长轴方向，n1，m≥1或者n≥1，m1，m、n均为正整数，以在芯片层级实现高功率量级的激光器芯片。

本发明授权一种激光器阵列结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种激光器阵列结构，其特征在于，包括： m个激光器阵列单元，每个所述激光器阵列单元包括：绝缘衬底； 外延层，所述外延层位于所述绝缘衬底的一侧表面上，沿第一方向，所述外延层间隔预设距离布置n个台阶； 每个所述台阶包括第一表面和第二表面，所述第一表面上设置N接触电极，所述第二表面上设置P接触电极； 其中，沿所述第一方向，n个所述N接触电极和n个所述P接触电极依序交错布置，第n-1个所述P接触电极与第n个所述N接触电极电连接，前一个激光器芯片与后一个激光器芯片串联连接； 沿第二方向，m个所述激光器阵列单元中的第一列所述N接触电极均连接在一起，m个所述激光器阵列单元中的第n列所述P接触电极均连接在一起，所述第二方向与所述第一方向垂直，所述第一方向为所述外延层的长轴方向，其中，n1，m1，m、n均为正整数； 沿第二方向，m个激光器阵列单元中的其余n-1列N接触电极中的其中至少一列连接在一起，和或，与至少一列所述N接触电极电连接的每个P接触电极连接在一起，第二方向与第一方向垂直，第一方向为外延层的长轴方向； 第n个所述N接触电极一侧与第n个所述P接触电极的一侧之间形成有第一绝缘钝化区； 第n-1个所述P接触电极的另一侧与第n所述N接触电极的另一侧之间形成有第二绝缘钝化区； 每个所述P接触电极上设置有多个阵列排布的通孔； 第三绝缘钝化区，所述第三绝缘钝化区位于邻近第二绝缘钝化区的每个所述P接触电极背离所述外延层一侧的表面上，所述第三绝缘钝化区在所述P接触电极上的垂直投影面积小于所述P接触电极的面积，且与所述通孔在所述P接触电极上的垂直投影不交叠； n个第一导电金属层和n个第二导电金属层，每个所述第一导电金属层填充于所述第一绝缘钝化区与所述第二绝缘钝化区之间；每个所述第二导电金属层填充于所述第二绝缘钝化区与第三绝缘钝化区之间，其中，第n-1个第二导电金属层与第n个第一导电金属层电连接。

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